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題名: Design and characteristics of polysilicon emitter bipolar junction transistors
作者: N. F. Shih
日期: 2003-10-15
上傳時間: 2009-02-03T07:01:01Z
關聯: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.42, Part 2, No.10B, pp.L1238-1240
顯示於類別:[電子工程系] 期刊論文

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