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題名: Electroluminescence Characteristics and Current-Conduction Mechanism of a-SiC:H P-I-N Thin-Film Light-Emitting Diodes with Barrier Layer Inserted at P-I Interface
作者: T. S. Jen;J. W. Pan;N. F. Shin;J. W. Hong;C. Y. Chang
日期: 1994
上傳時間: 2009-02-03T07:01:26Z
關聯: IEEE Trans.Electron Deivces, vol.41, no.10. (SCI,EI)
顯示於類別:[電子工程系] 期刊論文

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