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題名: Hydrogenated amorphous silicon carbide double graded-gap p-i-n thin film light-emitting diodes
作者: N. F. Shin;J. Y. Chen;T. S. Jen;J. W. Hong;C. Y. Chang
日期: 1993
上傳時間: 2009-02-03T07:01:55Z
關聯: IEEE Electron Device Lett., vol.14, No.9, pp.453-455. (SCI)
顯示於類別:[電子工程系] 期刊論文

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