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題名: Hydrogenated amorphous silicon carbide p-i-n thin-film light-emiting diodes with barrier layers inserted at p-i interface
作者: T. S. Jen;J. W. Pan;N. F. Shin;W. C. Tsay;J. W. Hong;C. Y. Chang
日期: 1994
上傳時間: 2009-02-03T07:02:00Z
關聯: Jpn. J. Appl. Phys., vol.33, pp.252-256. (SCI)
顯示於類別:[電子工程系] 期刊論文

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