Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/1713

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Title:	次65 nm世代元件之關鍵奈米催化晶種與孔槽膠囊化銅鑲嵌製程研發
Authors:	陳松德
Contributors:	修平技術學院電子工程系
Keywords:	次奈米催化晶種;銅鑲嵌製程;黑鑽石;無電鍍;超薄;膠囊化;Co 基合金散阻礙層
Date:	2007-07-01
Issue Date:	2009-10-28T03:43:02Z
Abstract:	孔隙填充性優良的無電鍍銅膜技術是繼電鍍銅製程之後，另一受到注目的新興之適用於下世代65 nm 以下元件的孔槽鍍嵌製程，並已被納入台積電等12 吋晶圓廠的研發時程。因此，申請人擬利用電漿表面改質結合電化學技術，且具自我對位的創新性全程電化學析鍍，配合台積電所提供的SiOCH「黑鑽石」低k 介電層試片，第一年開發適用於SiOCH 介電層的次奈米(? 2 nm)催化晶種(Co, Ni 等)生長技術，以在其表面依序無電鍍沉積超薄(? 20 nm)的Co 基擴散薄膜與銅膜，並進一步利用材料分析(XRD、SEM、 TEM、AFM、FTIR、XPS 能譜分析等)與電性量測(片電阻、I-V 與C-V)，探討催化晶種及無電鍍Co 基薄膜的生長機制、本質特性及對銅之擴散阻礙或覆蓋層之介面反應行為。第二年將進一步開發適用於65 nm 孔槽的自我對位次奈米催化晶種技術，及選擇性無電鍍沉積「Co 基阻礙層/Cu 導線/Co 基覆蓋層」膠囊化銅鑲嵌製程。此種全程電化學膠囊化技術的研發成功不但能簡化銅鑲嵌製程步驟的潛力，而且能提昇銅導線系統的可靠度。;計畫編號:NSC95-2221-E164-009;研究期間:200608~200707
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