Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/1921

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Title:	具單一位元線之單埠
Authors:	廖柏勛;劉政怡;黎岳達
Contributors:	電機工程系
Date:	2009-12-09
Issue Date:	2011-01-24T05:51:49Z
Abstract:	本文提出一種寫入操作時降低電源電壓之單埠靜態隨機存取記憶體（Single port SRAM），其係包括一記憶體陣列，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，每一列記憶體晶胞與每一行記憶體晶胞各包括有複數個記憶體晶胞（1）；一第一偏壓電路（2）；一第二偏壓電路（3）；複數個寫入電壓控制電路（5），每一列記憶體晶胞設置一個寫入電壓控制電路（5）。該等記憶體晶胞（1）係連接在一高電壓節點（VH）與一低電壓節點（VL）之間，該等寫入電壓控制電路（5）於對應之一控制信號（CTL）為代表選定寫入狀態之邏輯高位準時，將一低電源供應電壓（LVDD）供應至該高電壓節點（VH），俾藉由寫入操作時降低電源電壓以有效避免寫入邏輯 1 相當困難之問題
Appears in Collections:	[Department of Electrical Engineering & Graduate Institute] Monograph

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