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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/1943
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| 題名: | AZO 透明導電膜及其特性研究 |
| 作者: | 鄭思齊;游任陽;張家銘;林雨霆 |
| 貢獻者: | 電子工程系 |
| 日期: | 2010-07-12
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| 上傳時間: | 2011-01-25T06:22:28Z
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| 摘要: | 最近幾年氧化鋅是備受矚目的材料，其原因包括: (一)鋅的資源豐富，價格低廉遠優於銦；(二)隨摻雜物的不同，ZnO 可以是 p型或 n型；(三)除了做為透明電極外ZnO也是很有潛力的UV光發射器材料。ZnO 比 AlInGaN、GaN 具有較高的激子(excition)束縛能，能夠在較高溫度或偏壓下工作，而且有希望取代 GaN開發出紫外、綠光、藍光等多種發光元件[?]。(四)大面積、高品質的ZnO 基板相對容易取得，而且 ZnO 也可以在便宜的基板(如玻璃)
上成膜。因此，本實驗採磁控濺鍍法來製備具良好導電性與光穿透度且價格相對便宜的 AZO透明導電膜。共可分成兩部份，一部份以射頻(RF)濺鍍法沉積 AZO 薄膜；另一部份以直流(DC)濺鍍法沉積 AZO 薄膜。藉由製程參數的調整(如工作壓力、基板溫度…)，分析特性以達到製程最佳化的目的，期望能得到具有低電阻及高透光率的AZO透明導電膜，以作為未來實驗室射頻(RF)+直流(DC)濺鍍法沉
積 AZO薄膜與非晶矽薄膜太陽能電池之前期性研究。 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
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