English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 4343/7642
造訪人次 : 3662411      線上人數 : 643
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 進階搜尋

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/1951

題名: 以低溫水熱電化學法製備鈣鈦礦陶瓷膜之研究
作者: 李文利;王中男;吳冠德;張益彬;林政文
貢獻者: 化學工程系
日期: 2009-12-30
上傳時間: 2011-01-25T07:19:13Z
摘要: 本研究主要採用以往文獻中從未使用之鍍氮化鈦膜矽晶片(TiN/Si)來當基材,利用低溫水熱法-電化學法作用之方式來成長鈦酸鈣膜、鈦酸鍶膜,反應溶液為0.5M 氫氧化鈣 (Ca(OH)2)或0.5M 醋酸鍶 (Sr(CH3COO)2)及2M氫氧化鈉 (NaOH)之電解液,探討在控制溶液溫度、電壓及反應時間之條件對鈦酸鈣 (CaTiO3)膜、鈦酸鍶 (SrTiO3)膜成長之影響。結果顯示以低溫水熱-電化學法方式可成功的於TiN/Si上成長出立方相SrTiO3膜,但無法生成出斜方相的CaTiO3膜。反應電壓必須要在2V以上才可有明顯SrTiO3膜之生成,以2V定電壓反應15 min後TiN膜可完全轉化成SrTiO3膜,生成之膜厚約3m。在固定電壓下增加反應時間可明顯增加SrTiO3膜之膜厚,故可以控制反應時間以獲得所需之膜厚。
顯示於類別:[能源與材料科技系] 學生專題

文件中的檔案:

檔案 大小格式瀏覽次數
以低溫v10.pdf1161KbAdobe PDF2730檢視/開啟

在HUSTIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

 


DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋