Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/2574
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Title: 氧化鋁鋅透明導電薄膜霧化特行研究
Authors: 張岳勳;張治煒;邱炯翰;詹翎渙
Contributors: 電子工程系
Keywords: AZO
Al2O3
磁控濺鍍
氧化鋁鋅
霧化
Date: 2010-12-29
Issue Date: 2011-11-10T12:51:06Z
Abstract: 本實驗以磁控直流(DC)濺鍍法製備鋁氧化鋅(AZO)基板,再以融膠凝膠法透過旋轉塗佈方式,將摻有微米級氧化鋁(Al2O3)粉末之AZO容易塗怖在基板上,然後浸泡於0.05M之鹽酸容易進行蝕刻動作,蝕刻時間為5秒、10秒以及15秒,藉由調整AL2O3摻雜濃度與蝕刻秒數,觀察其不同製程環境下的特性變化。
發現經AL2O3霧化處理後試片穿透率約為55%~75%,隨著蝕刻時間增加,穿透率也明顯上升,霧度量測則落在20~30之間。
XRD繞射圖中發現AZO薄膜具有ZnO(002)之擇優取向,片電阻方面使用霍爾效應量測儀與四點探測針均無法測量,改以三用電表量測後發現,電阻值高達數十KΩ到數百KΩ不等,且隨著量測電改變而變化,目前推斷原因為塗佈三層AZO溶液所形成的薄膜太厚,本次實驗的蝕刻時間不足以將其蝕刻完全,致使表面的Al2O3顆粒阻斷了電子傳送。
Appears in Collections:[Department of Electronic Engineering] Monograph

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