Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/2690
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 4343/7642
造访人次 : 3701897      在线人数 : 373
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/2690

题名: 不同退火處理對染敏太陽電池之影響
作者: 黃政景;李軒;劉誌緯;鄭旭凱;邱世曜
贡献者: 電子工程系
关键词: 染敏太陽電池
日期: 2011-12-28
上传时间: 2012-07-10T02:05:28Z
摘要: 本論文製作兩種不同的染料(719及N3)，以網版印刷法將二氧化鈦薄膜網印於FTO透明導電玻璃上，作為染料敏化太陽能電池之工作電極，並研究不同退火處理對於二氧化鈦薄膜之微結構、表面型態及光學特性等影響，藉由XRD繞射儀、電子式掃瞄顯微鏡(SEM)及紫外光/可見光光譜儀等儀器量測染敏太陽電池之二氧化鈦工作電極之物理及光電特性。實驗結果顯示，兩種不同染料所製作之薄膜具有不同之穿透率，719具有比較佳之穿透率，但染料吸附量比較少。另外經過FC退火處理程序所製作之二氧化鈦薄膜，具有較佳之太陽能電池特性，這是因為該薄膜具有較大之薄膜孔隙度，可以吸附較多之染料之緣故。
显示于类别:[電子工程系] 學生專題

文件中的档案:

没有与此文件相关的档案.

在HUSTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈