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題名: 5T靜態隨機存取記憶體(III)
作者: 陳煥喬;張芳逢
貢獻者: 電機工程系
關鍵詞: 單埠 SARM 靜態隨機記憶體 HSPICE
日期: 2012-12-12
上傳時間: 2013-07-23T06:03:33Z
摘要: 本專題所提出之單埠隨機存取記憶體之SRAM，其經使用TSMC 0.18微米CMOS製程參數加以模擬，證實其不但可有效避免寫入邏輯1困難之問題，並能有效降低待機功率，且具良好的靜態雜訊邊際（SNM），再者，即使將電源供應電壓下降至1.0V特，並使用TSMC 0.18微米CMOS製程參數加以模擬，仍能具有良好的性能。
顯示於類別:[電機工程系(含碩士班)] 學生專題

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