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| 題名: | 濕式化學沉積之硫化鋅生長研究 |
| 作者: | 謝明橋
王舜洽 |
| 貢獻者: | 電子工程系 |
| 關鍵詞: | 化學浴沉積
ZnS薄膜
退火處理 |
| 日期: | 2012-01-17
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| 上傳時間: | 2013-07-23T06:44:04Z
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| 摘要: | 本實驗以濕式化學沐浴沉積法(CBD)生長半導體硫化鋅薄膜，反應沉積於玻璃基板上。以醋酸鋅、硫脲作為鋅離子來源及硫離子來源， 使用氨水、聯氨作為其反應錯合劑，分別以反應時間、反應濃度、反應溫度、pH值的製程參數進行分析探討。另外利用快速熱退火進行熱處理，退火溫度(450℃)以時間(5min、20min與30min)條件下，觀察對硫化鋅薄膜光學特性之影響。 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
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