Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/3547

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Title:	以化學氣相沉積法合成一維氧化銦鋅奈米線結構及其特性分析
Authors:	陳志榮
Contributors:	修平技術學院電子工程系
Keywords:	化學氣相沉積法氧化銦鋅奈米線
Date:	2011-03
Issue Date:	2013-08-15T01:50:10Z
Abstract:	本論文主要利用化學氣相沉積法經由氣液固（VLS）機制在低製程溫度下成長一維氧化銦鋅（IZO）奈米線於ITO基板上，並使用掃描電子顯微鏡觀察一維氧化銦鋅奈米線樣本的表面形態、結構、長度、線徑與分佈情形，並利用 X 光單晶繞射儀鑑定其結構的結晶性，再利用X光能量散譜儀（EDS）做一維氧化銦鋅奈米線的成份分析。本實驗在成長一維氧化銦鋅奈米線的最佳實驗結果（參數為銦（In）顆粒的製程溫度為700 ℃、鋅（Zn）粉末的製程溫度為550 ℃、成長壓力為1 Torr、氬氣流量為50 sccm、氧氣流量為10 sccm），由FE-SEM的截面分析發現，本實驗氧化銦鋅奈米線為中空結構，奈米線線徑約為100 nm到150 nm，長約為5 μm，電阻值約20 - 150 Ω。
Relation:	修平學報 22, 153-162
Appears in Collections:	[Department of Electronic Engineering] Journal

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