Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/3709
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题名: 磁電異質結構
作者: 陳宏仁;高銘政;楊尚霖
贡献者: 修平技術學院
日期: 2010-05-11
上传时间: 2013-08-28T01:30:40Z
摘要: 一種磁電異質結構，包含一基體，以及一疊置於該基體上且由至少一鐵電層與至少一超巨磁阻鐵磁層直接交互疊合而成之磁電複合薄膜。 【創作特點】 因此，本新型之目的，即在提供一種可以增進磁電材料的效能與應用特性的磁電異質結構。
於是，本新型磁電異質結構，係包含：一基體以及一磁電複合薄膜。該磁電複合薄膜係疊置於該基體上，且由至少一鐵電層與至少一超巨磁阻鐵磁層直接交互疊合而成。
本新型嘗試將至少一超巨磁阻鐵磁層與至少一鐵電層直接交互疊合而成一磁電複合薄膜並疊置於一基體上，所形成之磁電異質結構與習知在層間設置緩衝層之概念不同，亦使得鐵電層及超巨磁阻鐵磁層間的相互作用更為直接，在層狀結構之鐵電性及鐵磁性交替作用下，電場誘導產生磁場，同時磁場也可以誘發電極化，進而增強磁電效應。
本新型之功效在於：提供一於一基體上疊置一由至少一鐵電層與至少一超巨磁阻鐵磁層直接交互疊合而成的磁電複合薄膜，該磁電複合薄膜中的鐵電層與超巨磁阻鐵磁層之間沒有習知之緩衝層間隔，可增進層與層間的磁電交互作用，此磁電複合薄膜可同時存在鐵電性及磁性，並同時呈現電和磁的有序性，使得磁電異質結構中的電場可以誘導產生磁場，同時磁場也可以誘發電極化，因此該磁電異質結構可提昇多鐵材料的磁電效能，具有較傳統鐵電材料之讀取更為快速的優點，可同時應用在非揮發性鐵電記憶體及磁性記憶體之應用上。
显示于类别:[電子工程系] 專利

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