Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/3750
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题名: ５Ｔ單埠靜態隨機存取記憶體 5T SINGLE PORT SRAM
作者: 蕭明椿;黃淳德;唐國秦;管展均;溫勝雄
贡献者: 修平科技大學
日期: 2011-12-01
上传时间: 2013-08-28T02:29:11Z
摘要: 本創作提出一種5T單埠靜態隨機存取記憶體，其主要包括一記憶體陣列以及複數個控制電路(2)，該記憶體陣列係由複數個記憶體區塊所組成，每一記憶體區塊設置一個控制電路，且每一記憶體區塊更包括複數個記憶體晶胞(1)，每一記憶體晶胞(1)則由一NMOS存取電晶體(M3)、二NMOS驅動電晶體(M1和M2)及二PMOS負載電晶體(P1和P2)所組成。每一控制單元係連接至對應記憶體區塊中之每一記憶晶胞的二NMOS驅動電晶體的源極端，以便因應不同操作模式而控制該等源極端之源極電壓，於寫入模式時，將選定記憶體晶胞中較接近位元線之驅動電晶體(M1)的源極電壓設定成較接地電壓為高之一預定電壓且將選定晶胞中另一驅動電晶體(M2)的源極電壓設定成接地電壓，以便防止寫入邏輯1困難之問題；於待機模式時，將所有記憶體晶胞中之驅動電晶體的源極電壓設定成較接地電壓為高之該預定電壓，以便降低漏電流；而於其他模式時則將所有記憶體晶胞中之驅動電晶體的源極電壓設定成接地電壓，以便維持讀取穩定度。
显示于类别:[電機工程系(含碩士班)] 專利

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