Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/555
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 4343/7642
造访人次 : 3706768      在线人数 : 460
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/555

题名: 雙極性金氧半結構之電壓峰值檢知器 BIMOS PEAK VOLTAGE DETECTOR
作者: 蕭明椿
贡献者: 修平技術學院
日期: 2005-02-01
上传时间: 2008-11-06T08:21:35Z
摘要: 本發明提出一種具雙極性金氧半結構之電壓峰值檢知器，其主要係由一雙極性差動放大器1、一雙極性充電電晶體2、一電容器C、一第一電阻器R1以及一輸出級3所組成，其中，該雙極性差動放大器1係以非對稱式結構來設計，亦即僅使用單邊之負載電晶體QP1，且該負載電晶體與該雙極性充電電晶體2共同構成一電流鏡。該雙極性差動放大器1係做為比較器使用，該雙極性充電電晶體2係做為充電器使用，用以提供電容器C所需之充電電流，而該輸出級3則用以調整該電容器C上之電壓信號V(C)，以便精確地輸出該輸入信號之峰值電壓。本發明所提出之電壓峰值檢知器，不但能精確地檢測出輸入信號之峰值電壓，並且兼具電路結構簡單、佔用的晶片面積小以及有利於裝置之小型化等多重功效，同時亦設置有輸出級以便有效防止因外部電路之擷取動作而遭致破壞所保持之輸入峰值電壓。此外，本發明之電壓峰值檢知器亦能有效消除差動放大器之超量電壓效應。
显示于类别:[電機工程系(含碩士班)] 專利

文件中的档案:

档案 描述 大小格式浏览次数
200504369-1.pdf296KbAdobe PDF333检视/开启
200504369-2.pdf101KbAdobe PDF222检视/开启
200504369-4.pdf220KbAdobe PDF341检视/开启

在HUSTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈