Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/602
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 4334/7631
造訪人次 : 3199907      線上人數 : 189
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 進階搜尋

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/602

題名: 可降低讀取干擾之雙埠SRAM晶胞 DUAL PORT SRAM CELL WITH REDUCED READ DISTURBANCE
作者: 蕭明椿
貢獻者: 修平技術學院
日期: 2005-10-11
上傳時間: 2008-11-06T08:23:55Z
摘要: 本創作提出一種可降低讀取干擾之雙埠SRAM晶胞，其係包括一第一反相器(由第一PMOS電晶體P1與第一NMOS電晶體M1所組成)、一第二反相器(由第二PMOS電晶體P2與第二NMOS電晶體M1所組成)、一寫入用選擇電晶體(MWS)、一讀取用選擇電晶體(MRS)、一反相電晶體(MINV)、一寫入用字元線(WWL)、一讀取用字元線(RWL)、一寫入用位元線(WBL)以及一讀取用位元線(RBL)，其中，該第一反相器和該第二反相器係呈交互耦合連接，亦即該第一反相器之輸出(即節點A)係連接該第二反相器之輸入，而該第二反相器之輸出(即節點B)則連接該第一反相器之輸入，並且該第一反相器之輸出(節點A)係用於儲存SRAM晶胞之資料，而該第二反相器之輸出(節點B)則用於儲存SRAM晶胞之反相資料，同時將該第一反相器之第一NMOS電晶體(M1)之源極連接至寫入用字元線(WWL)，而該用於儲存SRAM晶胞反相資料之節點B則經由該反相電晶體(MINV)及該讀取用選擇電晶體(MRS)連接至讀取用位元線(RBL)；再者，將該讀取用選擇電晶體(MRS)設計為PMOS電晶體、該反相電晶體(MINV)設計為 NMOS電晶體，並且將該反相電晶體(MINV)之源極連接至讀取用字元線(RWL)，該讀取用字元線(RWL)於讀取操作期間係設定為接地電壓，而於讀取操作以外之期間則設定為電源電壓。藉此，即能解決先前技藝於讀取SRAM晶胞所儲存之資料後，尚需對所讀取之資料再執行反相邏輯操作之問題，並且也能實現單位元線同時讀寫的功能，同時亦能使雙埠SRAM晶胞於低電源電壓下操作。此外，本創作亦能藉由阻斷非選擇(nonselected)雙埠SRAM晶胞之漏電流(leaking current)，而達成有效降低讀取干擾及有效提高讀取可靠度之功效。
顯示於類別:[電機工程系(含碩士班)] 專利

文件中的檔案:

檔案 描述 大小格式瀏覽次數
M278035-1.pdf119KbAdobe PDF290檢視/開啟
M278035-2.pdf40KbAdobe PDF293檢視/開啟

在HUSTIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

 

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋