| 摘要: | 本創作提出一種新穎架構之具可控制的PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor, P通道金屬氧化物半導體)電流源及單邊負載之電壓峰?檢知器,其係由一差動放大器(1)、一充電電晶體(2)、一控制電路(3)以及一電容器(C)所組成,其中,該差動放大器(1)係做為比較器使用,該充電電晶體(2)係做為充電器使用,用以提供電容器(C)所需之充電電流,且該差動放大器(1)之兩輸入端係分別接受輸入電壓信號及電壓峰?檢知器之輸出電壓回授信號,並提供適當之充電電流給充電電晶體,以便取得輸入電壓波形之峰值做為輸出電壓信號,該差動放大器(1)係包括一第一PMOS電晶體(MP1)、一第一NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor, N通道金屬氧化物半導體)電晶體(MN1)、一第二NMOS電晶體(MN2)以及一由PMOS電晶體(MP)所組成之電流源(IP),其中,該第一NMOS電晶體(MN1)和第二NMOS電晶體(MN2)係做為驅動器(driver)使用,該第一PMOS電晶體(MP1)係做為一單邊負載電晶體使用,且該單邊負載電晶體與該充電電晶體(2)共同構成一電流鏡,而該PMOS電晶體(MP)所組成之電流源(IP)係受該控制電路(3)以控制其為導通(on)或關閉(off)狀態,當該PMOS電晶體所組成之電流源(IP)為導通狀態時可提供一電流給該差動放大器(1)使用,而當該PMOS電晶體所組成之電流源(IP)為關閉狀態時,則禁能(disable)該差動放大器(1),以便有效地減少功率消耗。本創作所提出之具可控制的PMOS電流源及單邊負載之電壓峰?檢知器,不但能精確地檢測出輸入信號之峰?電壓,並且兼具電路結構簡單、使用的電晶體數量較少以及有利於裝置之小型化等多重功效,同時亦能有效地減少功率消耗。 |
