Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/620

English | 正體中文 | 简体中文 | Items with full text/Total items : 4343/7642
Visitors : 3707010 Online Users : 375

RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.

Scope Adv. Search

Login ‧ Upload ‧ Help ‧ About ‧ Administer

HUSTIR > College of Engineering > Department of Electrical Engineering & Graduate Institute > Patents > Item 310993100/620

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/620

Title:	具可控制的NMOS電流源及輸出級之電壓峰?檢知器 PEAK VOLTAGE DETECTOR HAVING CONTROLLABLE NMOS CURRENT SOURCE AND OUTPUT STAGE
Authors:	蕭明椿
Contributors:	修平技術學院
Date:	2008-06-21
Issue Date:	2008-11-06T08:24:49Z
Abstract:	本創作提出一種新穎架構之具可控制的NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor, N通道金屬氧化物半導體)電流源及輸出級之電壓峰?檢知器,其係由一差動放大器(1)、一充電電晶體(2)、一電容器(C)、一輸出級(3)、一控制電路(4)以及一電容器(C)所組成,其中,該差動放大器(1)係做為比較器使用,該充電電晶體(2)係做為充電器使用,用以提供電容器(C)所需之充電電流,而該輸出級(3)則用以調整該電容器(C)上之電壓信號V(C),以便精確地輸出該輸入信號之峰?電壓。該差動放大器(1)係包括有一第一PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor, P通道金屬氧化物半導體)電晶體(MP1)、一第一NMOS電晶體(MN1)、一第二NMOS電晶體(MN2)以及一由NMOS電晶體(MN)所組成之電流源(IP),其中,該第一NMOS電晶體(MN1)和該第二NMOS電晶體(MN2)係做為驅動器(driver)使用,該第一PMOS電晶體(MP1)係做為一單邊負載電晶體使用,且該單邊負載電晶體與該充電電晶體(2)共同構成一電流鏡,而該NMOS電晶體(MN)所組成之電流源(IP)係受該控制電路(4)以控制其為導通(on)或關閉(off)狀態,當該NMOS電晶體所組成之電流源(IP)為導通狀態時可提供一電流給該差動放大器(1)使用,而當該NMOS電晶體所組成之電流源(IP)為關閉狀態時,則禁能(disable)該差動放大器(1),以便有效地減少功率消耗。本創作所提出之具可控制的NMOS電流源及輸出級之電壓峰?檢知器,不但能精確地檢測出輸入信號之峰?電壓,並且兼具電路結構簡單、使用的電晶體數量較少以及有利於裝置之小型化等多重功效,同時亦能有效地減少功率消耗。
Appears in Collections:	[Department of Electrical Engineering & Graduate Institute] Patents

Files in This Item:

File	Size	Format
M335097-1.pdf	160Kb	Adobe PDF	434	View/Open
M335097-2.pdf	48Kb	Adobe PDF	413	View/Open
M335097-4.pdf	209Kb	Adobe PDF	534	View/Open

Loading...