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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/6606
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| 題名: | 化學水浴之沉積時間對氧化鋅奈米柱的光學與微結構影響 |
| 作者: | 林佑諭
蔡安庭
林耘
黃顗鳴
張銘祐 |
| 貢獻者: | 電子工程系 |
| 關鍵詞: | 氧化鋅
奈米柱
電子顯微鏡
X光繞射
螢光激發光譜儀 |
| 日期: | 2018-06-19
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| 上傳時間: | 2018-09-28T03:08:17Z
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| 摘要: | 氧化鋅為目前很有潛力的光電半導體材料之一，材料擁有非常多優點，具有易蝕刻、無毒性、價廉等優點，在熱穩定性上及化學穩定性上也有相當不錯的表現。由於目前的ZnO多屬於n-type的半導體氧化物，如果能成功研發p-type的ZnO與n-type的ZnO搭配，將可開發出ZnO的全新光電半導體應用領域。
首先利用旋轉塗佈法在p-type矽晶圓上沉積氧化鋅（ZnO）薄膜做為晶種層，之後使用低溫水熱法製備氧化鋅奈米柱，固定溫度90°C改變其成長時間，分別為30、60、90分鐘，最後測量其表面微結構、光學特性。藉由掃描式電子顯微鏡（SEM）和X光繞射（X-Ray）觀察晶體結構及分析表面型態，來討論氧化鋅奈米柱對於不同成長時間下的影響，並探討其材料特性。在光學性質方面，藉由螢光激發光譜儀(Photoluminescehce Excitation)觀察奈米柱品質，將量測所得的結果加以分析討論。 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
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