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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/7528
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| 題名: | 具快速寫入邏輯0之單埠靜態隨機存取記憶體 |
| 作者: | 洪歆幃 |
| 貢獻者: | 電機工程系 |
| 關鍵詞: | 單埠靜態隨機存取記憶體
快取記憶體
半選定晶胞 |
| 日期: | 2020-06
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| 上傳時間: | 2020-12-18T05:42:54Z
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| 摘要: | 本專題提出一種具新穎架構之具快速寫入邏輯0之單埠靜態隨機存取記憶體，靜態隨機存取記憶體主要用於系統晶片與多核心系統中之核心內的快取記憶體與核心和核心間供暫存交換資料之緩衝記憶體。本專題提出之二階段寫入方法，於第一階段將寫入用位元線電壓設定成低於接地電壓，且於第二階段將位元線電壓拉回接地電壓，並配合低電壓位準控制電路，可有效加速由邏輯1寫入邏輯0以及由邏輯0寫入邏輯1之寫入速度分別達51.9%與51.6%，且兼具有效降低半選定晶胞之寫入干擾。本專題提出之二階段讀取方法，於第一階段將低電壓節點電壓拉低至低於接地電壓，且於第二階段拉回接地電壓，並配合讀取用字元線控制電路與高電壓位準控制電路，可有效提升讀取速度達34.5%，且亦避免無謂的功率耗損。 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 學生專題
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