Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/7529

English | 正體中文 | 简体中文 | Items with full text/Total items : 4334/7631
Visitors : 3204714 Online Users : 270

RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.

Scope Adv. Search

Login ‧ Upload ‧ Help ‧ About ‧ Administer

HUSTIR > College of Engineering > Department of Electrical Engineering & Graduate Institute > Monograph > Item 310993100/7529

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/7529

Title:	具快速寫入邏輯0之雙埠靜態隨機存取記憶體
Authors:	張詩昉;林瑞龍
Contributors:	電機工程系
Keywords:	雙埠靜態隨機存取記憶體
Date:	2020-06
Issue Date:	2020-12-18T05:45:44Z
Abstract:	本專題提出一種具新穎架構之7T雙埠靜態隨機存取記憶體，靜態隨機存取記憶體主要用於系統晶片與多核系統中之核內快取記憶體與核和核間暫存交換資料之緩衝記憶體。本專題提出之二階段寫入方法，於第一階段將寫入用位元線電壓設定成低於接地電壓，且於第二階段將位元線電壓拉回接地電壓，並配合寫入用字元線控制電路與低電壓位準控制電路，可有效加速由邏輯1寫入邏輯0以及由邏輯0寫入邏輯1之寫入速度分別達44%與54.1%，且兼具有效降低半選定晶胞之寫入干擾。本專題提出之二階段讀取方法，於第一階段將低電壓節點電壓拉低至低於接地電壓，且於第二階段拉回接地電壓，並配合讀取用字元線控制電路與高電壓位準控制電路，可有效提升讀取速度達47.1%，且亦避免無謂的功率耗損。
Appears in Collections:	[Department of Electrical Engineering & Graduate Institute] Monograph

Files in This Item:

There are no files associated with this item.