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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/7613
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| 題名: | 氧化鋅奈米柱陣列光電特性優化 |
| 作者: | 劉仁傑
黃柏偉
賴俊宇
劉沛岳 |
| 貢獻者: | 電子工程系 |
| 關鍵詞: | 氧化鋅摻雜鉺奈米柱
晶種層
摻雜比例
氧化鋅薄膜
奈米柱微結構
光電性特性 |
| 日期: | 2021-06
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| 上傳時間: | 2021-08-30T03:56:54Z
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| 摘要: | 本專題研究如何摻雜不同比例在溶膠凝膠製程-旋鍍氧化鋅摻雜鉺透明導電薄膜在p型半導體矽基板下來探討氧化鋅薄膜特性變化，另以水熱法成長氧化鋅摻雜鉺奈米柱一維結構，研究出晶種層與摻雜比例對氧化鋅薄膜及奈米柱微結構、光電性特性。
氧化鋅摻鉺薄膜，藉由X光繞射分析晶體結構，得知沒有二次相變的產生，因此代表鉺的摻雜能完全取代鋅離子。鉺的摻雜量增加(002)峰值強度減弱則表示晶格扭曲結構變差。藉由掃描式電子顯微鏡分析，摻雜鉺氧化鋅薄膜會隨著不同摻雜比例提高而晶粒逐漸縮小。在光學性質方面，利用光譜儀量測薄膜穿透率，製備樣品在可見光範圍有80 %以上高穿透率，另外藉由螢光光譜儀觀察摻鉺氧化鋅薄膜的品質，並從中得知隨著摻雜比例提升會使樣品缺陷下降。
在氧化鋅摻雜鉺奈米柱於不同晶種層部分，由於氧化鋅晶種層使用層數不同，從X光繞射分析繞射峰訊號強度隨著摻雜比例的提高而減弱，兩層氧化鋅晶種層奈米柱因為鋅與鉺結合使晶格變化讓繞射峰訊號有所偏移。在實驗中奈米柱陣列樣品比奈米薄膜光電特性提升非常多，達到優化元件光電特性的目的。 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
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