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題名: Evaluation of single- and multilayered amorphous tantalum nitride thin films as diffusion barriers in copper metallization
作者: G. S. Chen;S. T. Chen;L. C. Yang;P. Y. Lee
日期: 2000
上傳時間: 2009-02-03T07:01:33Z
關聯: J. Vac. Sci. Technol. A, 18, pp. 720?723. (SCI)
顯示於類別:[電子工程系] 期刊論文

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