English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 4334/7631
造訪人次 : 3194875      線上人數 : 444
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 進階搜尋

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/1424

題名: The Grain Growth and Admittance-Frequency Properties of the ZnO Semiconductor
作者: H. Z. Chen
日期: 1998
上傳時間: 2009-02-03T07:03:25Z
關聯: SHU TEH Journal, Vol. 21, pp. 287-308
顯示於類別:[電子工程系] 期刊論文

文件中的檔案:

沒有與此文件相關的檔案.

在HUSTIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

 

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋