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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/1713
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| 題名: | 次65 nm世代元件之關鍵奈米催化晶種與孔槽膠囊化銅鑲嵌製程研發 |
| 作者: | 陳松德 |
| 貢獻者: | 修平技術學院電子工程系 |
| 關鍵詞: | 次奈米催化晶種;銅鑲嵌製程;黑鑽石;無電鍍;超薄;膠囊化;Co 基合金散阻礙層 |
| 日期: | 2007-07-01
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| 上傳時間: | 2009-10-28T03:43:02Z
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| 摘要: | 孔隙填充性優良的無電鍍銅膜技術是繼電鍍銅製程之後，另一受到注目的新興之適用 於下世代65 nm 以下元件的孔槽鍍嵌製程，並已被納入台積電等12 吋晶圓廠的研發時 程。因此，申請人擬利用電漿表面改質結合電化學技術，且具自我對位的創新性全程 電化學析鍍，配合台積電所提供的SiOCH「黑鑽石」低k 介電層試片，第一年開發適 用於SiOCH 介電層的次奈米(? 2 nm)催化晶種(Co, Ni 等)生長技術，以在其表面依序無 電鍍沉積超薄(? 20 nm)的Co 基擴散薄膜與銅膜，並進一步利用材料分析(XRD、SEM、 TEM、AFM、FTIR、XPS 能譜分析等)與電性量測(片電阻、I-V 與C-V)，探討催化晶 種及無電鍍Co 基薄膜的生長機制、本質特性及對銅之擴散阻礙或覆蓋層之介面反應行 為。第二年將進一步開發適用於65 nm 孔槽的自我對位次奈米催化晶種技術，及選擇 性無電鍍沉積「Co 基阻礙層/Cu 導線/Co 基覆蓋層」膠囊化銅鑲嵌製程。此種全程電 化學膠囊化技術的研發成功不但能簡化銅鑲嵌製程步驟的潛力，而且能提昇銅導線系 統的可靠度。;計畫編號:NSC95-2221-E164-009;研究期間:200608~200707 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 研究計畫
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