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題名: 氧化鋁鋅透明導電薄膜霧化特行研究
作者: 張岳勳;張治煒;邱炯翰;詹翎渙
貢獻者: 電子工程系
關鍵詞: AZO
Al2O3
磁控濺鍍
氧化鋁鋅
霧化
日期: 2010-12-29
上傳時間: 2011-11-10T12:51:06Z
摘要: 本實驗以磁控直流(DC)濺鍍法製備鋁氧化鋅(AZO)基板，再以融膠凝膠法透過旋轉塗佈方式，將摻有微米級氧化鋁(Al2O3)粉末之AZO容易塗怖在基板上，然後浸泡於0.05M之鹽酸容易進行蝕刻動作，蝕刻時間為5秒、10秒以及15秒，藉由調整AL2O3摻雜濃度與蝕刻秒數，觀察其不同製程環境下的特性變化。
發現經AL2O3霧化處理後試片穿透率約為55%~75%，隨著蝕刻時間增加，穿透率也明顯上升，霧度量測則落在20~30之間。
XRD繞射圖中發現AZO薄膜具有ZnO(002)之擇優取向，片電阻方面使用霍爾效應量測儀與四點探測針均無法測量，改以三用電表量測後發現，電阻值高達數十KΩ到數百KΩ不等，且隨著量測電改變而變化，目前推斷原因為塗佈三層AZO溶液所形成的薄膜太厚，本次實驗的蝕刻時間不足以將其蝕刻完全，致使表面的Al2O3顆粒阻斷了電子傳送。
顯示於類別:[電子工程系] 學生專題

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