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| 題名: | 寫入操作時提高字元線電壓位準之單埠靜態隨機存取記憶體 SINGLE PORT SRAM HAVING A HIGHER VOLTAGE WORD LINE IN WRITING OPERATION |
| 作者: | 蕭明椿 |
| 貢獻者: | 修平科技大學 |
| 日期: | 2010-11-01
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| 上傳時間: | 2013-08-28T01:43:55Z
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| 摘要: | 本創作提出一種寫入操作時提高字元線電壓位準之單埠靜態隨機存取記憶體，其係包括一記憶體陣列，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，每一列記憶體晶胞與每一行記憶體晶胞各包括有複數個記憶體晶胞(1)；複數條字元線，每一字元線對應至複數列記憶體晶胞中之一列；複數條位元線，每一位元線係對應至複數行記憶體晶胞中之一行；一第一偏壓電路(3)；一第二偏壓電路(4)；以及複數個字元線電壓控制電路(2)，每一列記憶體晶胞設置一個字元線電壓控制電路。該等字元線電壓控制電路(2)於對應之字元線(WL)為邏輯高位準，且一寫入致能(Write Enable，簡稱WE)信號為代表致能狀態之邏輯高位準時，方將一寫入用電源供應電壓(WVDD)供應至一存取電壓節點(VA)；而該等字元線電壓控制電路(2)於對應之字元線(WL)為邏輯高位準，但該寫入致能(WE)信號為代表非致能狀態之邏輯低位準時，則將該電源電壓(Vdd)供應至該存取電壓節點(VA)，俾藉由僅於寫入操作時提高字元線電壓位準以有效避免寫入邏輯1相當困難之問題；而於待機模式(standby mode)時，則藉由將一低電源供應電壓(LVDD)供應至一高電壓節點(VH)以及將較接地電壓為高之一電壓位準供應至一低電壓節點(VL)，以有效降低靜態隨機存取記憶體之功率消耗。結果，本創作所提出之寫入操作時提高字元線電壓位準之單埠靜態隨機存取記憶體，不但可有效避免習知具單一位元線之單埠SRAM所存在寫入邏輯1相當困難之問題，並且也能兼具待機模式時降低漏電流之功效。 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 專利
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