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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/4565
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| 題名: | 稀磁性半導體Zn1-xNixO奈米柱之特性分析研究 |
| 作者: | 呂政穎;洪義驊;辜霆瑋;林靖傑 |
| 貢獻者: | 電子工程系 |
| 關鍵詞: | 光感測器 |
| 日期: | 2014-12
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| 上傳時間: | 2015-08-04T01:14:59Z
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| 摘要: | 一般光感測器可分為 n-n 型與p-n 型，由於n-n 型沒有比p-n 型的感測
器效果還要好，且因氧化鋅?米線的結構比薄膜結構表面積還要大，因此
氧化鋅?米線的吸光會比薄膜本身還要好，本實驗希望透過?米線摻雜鎳
元素，透過摻雜鎳?改變氧化鋅?米線的能隙，將氧化鋅?米線的從n 型
半導體改變成p 型半導體，並且與n 型基板形成p-n 接面，即可形成p-n 型
的感測器。 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
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