Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/4565
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題名: 稀磁性半導體Zn1-xNixO奈米柱之特性分析研究
作者: 呂政穎;洪義驊;辜霆瑋;林靖傑
貢獻者: 電子工程系
關鍵詞: 光感測器
日期: 2014-12
上傳時間: 2015-08-04T01:14:59Z
摘要: 一般光感測器可分為 n-n 型與p-n 型，由於n-n 型沒有比p-n 型的感測
器效果還要好，且因氧化鋅?米線的結構比薄膜結構表面積還要大，因此
氧化鋅?米線的吸光會比薄膜本身還要好，本實驗希望透過?米線摻雜鎳
元素，透過摻雜鎳?改變氧化鋅?米線的能隙，將氧化鋅?米線的從n 型
半導體改變成p 型半導體，並且與n 型基板形成p-n 接面，即可形成p-n 型
的感測器。
顯示於類別:[電子工程系] 學生專題

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