Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/4999

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Title:	摻雜鈰元素對氧化鋅奈米柱陣列微結構與光電特性的影響
Authors:	黃耀賢;林佳賢;蔡文智;余振昌;顏智鴻
Contributors:	修平科技大學電子工程系
Keywords:	太陽能能源科技
Date:	2015-12
Issue Date:	2016-05-14T07:58:27Z
Abstract:	"氧化鋅是一種寬直接能隙(direct energy gap)的二六族金屬氧化物半導體，其能隙約為3.3eV，可見光波長範圍內的光波大部分不吸收，因此可見光具有高透明度，有效做為透明導電膜潛力。藉由摻雜鈰(Ce)氧化鋅奈米柱來改變導電度成為N型半導體。近幾年，太陽能能源科技蓬勃發展，氧化鋅被製成太陽能電池的電極材料。以氧化鋅為基礎做成的半導體奈米結構愈來愈多，例如量子點、奈米袋、奈米棒、奈米管及奈米線等皆受到廣泛研究。本論文將以水熱法來成長摻雜Ce的氧化鋅奈米柱，並固定時間兩小時及溫度90°C，藉此最後探討其光電特性的影響"
Appears in Collections:	[Department of Electronic Engineering] Monograph

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