Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/4999
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題名: 摻雜鈰元素對氧化鋅奈米柱陣列微結構與光電特性的影響
作者: 黃耀賢;林佳賢;蔡文智;余振昌;顏智鴻
貢獻者: 修平科技大學電子工程系
關鍵詞: 太陽能能源科技
日期: 2015-12
上傳時間: 2016-05-14T07:58:27Z
摘要: "氧化鋅是一種寬直接能隙(direct energy gap)的二六族金屬氧化物半導
體，其能隙約為3.3eV，可見光波長範圍內的光波大部分不吸收，因此可見
光具有高透明度，有效做為透明導電膜潛力。藉由摻雜鈰(Ce)氧化鋅奈米柱
來改變導電度成為N型半導體。近幾年，太陽能能源科技蓬勃發展，氧化鋅
被製成太陽能電池的電極材料。以氧化鋅為基礎做成的半導體奈米結構愈
來愈多，例如量子點、奈米袋、奈米棒、奈米管及奈米線等皆受到廣泛研
究。本論文將以水熱法來成長摻雜Ce的氧化鋅奈米柱，並固定時間兩小時
及溫度90°C，藉此最後探討其光電特性的影響"
顯示於類別:[電子工程系] 學生專題

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