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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/5012
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| 題名: | 自組裝單層在銅金屬化阻障層之應用 |
| 作者: | 陳怡婷;張裴秝;許玄文;洪志瑋 |
| 貢獻者: | 修平科技大學電子工程系 |
| 關鍵詞: | SiO2 |
| 日期: | 2015-12
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| 上傳時間: | 2016-05-14T08:16:34Z
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| 摘要: | "本研究主要探討在SiO2 晶圓以NH4OH:H2O2:H2O 溶液在其上形成具可
供自組裝單層生長之羥基鍵結表面，並利用自組裝單層做為銅阻障層。在
自組裝單層生長部分先採用SC-1 浸泡SiO2 晶圓以後，再放入分別通入OTS
混合甲苯或APTMS 混合甲苯氣氛之真空腔體內，經過一段時間即可生長一
層緻密之OTS 或APTMS 自組裝單層在SiO2 晶圓表面。利用水接觸角的角
度變化與XPS 分析在SiO2晶圓表面之OTS 或APTMS 自組裝單層生長狀態。
由於APTMS 所含之胺基(NH)終端基熱穩定性較OTS 的烷基為佳，因此本
研究以「SiO2/APTMS/Cu」結構經不同溫度進行退火處理，利用表面形貌
片，電阻量測及XRD 繞射儀檢測分析銅擴散之情形，以評估APTMS 自組
裝單層銅金屬化之阻障層能力。" |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
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