Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/597
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Title: 電壓變換緩衝電路 VOLTAGE CONVERTING BUFFER CIRCUIT
Authors: 蕭明椿
Contributors: 修平技術學院
Date: 2005-04-01
Issue Date: 2008-11-06T08:23:41Z
Abstract: 本創作提出一種新穎架構之電壓變換緩衝電路，其包括一CMOS反相器1、一位準移動正反器2以及一N通道MOS電晶體M10，其中該CMOS反相器1係由P通道MOS電晶體M1以及N通道MOS電晶體M2所組成，並連接在第一電源電壓VCC1與接地之間，該位準移動正反器2係由P通道MOS電晶體M3與M5以及N通道MOS電晶體M4與M6所組成，並連接在第二電源電壓VCC2與接地之間，而該N通道MOS電晶體M10係連接在第二電源電壓VCC2與輸出端VOUT之間，且其閘極用以接收著由該CMOS反相器1所輸出之反相的輸入電壓信號。由於本創作於輸出電壓信號上升期間，輸入端 VIN之輸入電壓信號僅需經由N通道MOS電晶體M2之延遲，即可使N通道 MOS電晶體M10導通，因此，不但可較先前技藝具有更短之上升時間，並且因為不需使用到延遲電路，因而也可有效簡化電路結構；此外，N通道MOS電晶體M10亦可視情況調整其通道寬度 (Channel width)W和零偏壓臨限電壓(Zero-bias threshold voltage)Vto之值，以改變或增加其驅動能力。
Appears in Collections:[Department of Electrical Engineering & Graduate Institute] Patents

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