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| 題名: | 具NMOS電流源及單邊負載之電壓峰值檢知器 PEAK VOLTAGE DETECTOR HAVING NMOS CURRENT SOURCE AND ONE-SIDED TRANSISTOR LOAD |
| 作者: | 蕭明椿;黃俊銘 |
| 貢獻者: | 修平技術學院 |
| 日期: | 2007-07-11
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| 上傳時間: | 2008-11-06T08:24:22Z
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| 摘要: | 本創作提出一種新穎架構之具NMOS (N-channel Metal Oxide Semiconductor，N通道金屬氧化物半導體)電流源及單邊負載之電壓峰值檢知器，其係由一差動放大器(1)、一充電電晶體(2)以及一電容器(C)所組成，其中，該差動放大器(1)係做為比較器使用，該充電電晶體(2)係做為充電器使用，用以提供電容器(C)所需之充電電流，且該差動放大器(1)之兩輸入端係分別接受輸入電壓信號及電壓峰值檢知器之輸出電壓回授信號，並提供適當之充電電流給充電電晶體，以便取得輸入電壓波形之峰值做為輸出電壓信號，該差動放大器(1)係由第一PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor，P通道金屬氧化物半導體)電晶體(MP1)、第一NMOS電晶體(MN1)、第二 NMOS電晶體(MN2)以及NMOS電流源(IP)所組成，其中，該第一NMOS電晶體MN1和第二NMOS電晶體MN2係做為驅動器(driver)使用，該第一PMOS電晶體MP1係做為一單邊負載電晶體使用，且該單邊負載電晶體與該充電電晶體(2)共同構成一電流鏡，而該NMOS電流源(IP)則作為一電流源使用且設計成二極體形式，以便提供一電流給該差動放大器(1)使用。本創作所提出之電壓峰值檢知器，不但能精確地檢測出輸入信號之峰值電壓，並且兼具電路結構簡單、使用的電晶體數量較少以及有利於裝置之小型化等多重功效，同時亦可有效地減少功率消耗。 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 專利
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描述 |
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