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| 題名: | 具可控NMOS電流源及單邊負載之電壓峰值檢知器 PEAK VOLTAGE DETECTOR HAVING CONTROLLABLE NMOS CURRENT SOURCE AND ONE-SIDED TRANSISTOR LOAD |
| 作者: | 蕭明椿 |
| 貢獻者: | 修平技術學院 |
| 日期: | 2008-04-11
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| 上傳時間: | 2008-11-06T08:24:34Z
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| 摘要: | 本創作提出一種新穎架構之具可控NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N通道金屬氧化物半導體)電流源及單邊負載之電壓峰值檢知器，其係由一差動放大器(1)、一充電電晶體(2)、一控制電路(3)以及一電容器(C)所組成，其中，該差動放大器(1)係做為比較器使用，該充電電晶體(2)係做為充電器使用，用以提供電容器(C)所需之充電電流，且該差動放大器(1)之兩輸入端係分別接受輸入電壓信號及電壓峰值檢知器之輸出電壓回授信號，並提供適當之充電電流給充電電晶體，以便取得輸入電壓波形之峰值做為輸出電壓信號，該差動放大器(1)係包括一第一PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P通道金屬氧化物半導體)電晶體(MP1)、一第一NMOS電晶體(MN1)、一第二NMOS電晶體(MN2)以及一由NMOS電晶體(MN)所組成之電流源(IP)，其中，該第一NMOS電晶體(MN1)和第二NMOS電晶體(MN2)係做為驅動器(driver)使用，該第一PMOS電晶體(MP1)係做為一單邊負載電晶體使用，且該單邊負載電晶體與該充電電晶體(2)共同構成一電流鏡，而該NMOS電晶體(MN)所組成之電流源(IP)係受該控制電路(3)以控制其為導通(on)或關閉(off)狀態，當該NMOS電晶體所組成之電流源(IP)為導通狀態時可提供一電流給該差動放大器(1)使用，而當該NMOS電晶體所組成之電流源(IP)為關閉狀態時，則禁能(disable)該差動放大器(1)，以便有效地減少功率消耗。本創作所提出之具可控NMOS電流源及單邊負載之電壓峰值檢知器，不但能精確地檢測出輸入信號之峰值電壓，並且兼具電路結構簡單、使用的電晶體數量較少以及有利於裝置之小型化等多重功效，同時亦能有效地減少功率消耗。 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 專利
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