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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/188
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| 題名: | 讀記憶體感測電路 |
| 作者: | 蕭明樁 |
| 貢獻者: | 修平技術學院電機工程系 |
| 關鍵詞: | 感測電路
唯讀記憶體
背閘極
浮接
臨限電壓 |
| 日期: | 2000-09
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| 上傳時間: | 2008-08-18T02:35:52Z
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| 摘要: | 本創作提出一種新穎之唯讀記憶體感測電路，其係由第一PMOS電晶體MPI、第一NMOS電晶體P吋NI、反或閘NOR、第二PMOS電晶體MP2，第一反相器NOT]、以及第二度相器NOT2所組成，其申該MMNI之背閘極(back gate)與源極(source)間係設計成順向偏壓。當記億單元在低電位VSS(即儲存邏輯0之資料)時，可藉由MNN]。背閘極對源極的順向偏壓而大幅降低臨限電壓及增大汲極電流，可加快內部節點A之放電速度;而當記憶單元在浮接(f@oating)電位(即儲存邏輯I之資料)時，則因本創作之感測電路設計有由MP2所構成並與MPI呈並聯連接之電流路徑，因此，可有效加快內部節點A之充電速度。故本設計電路不論記憶單元係在低電位VSS，或是在浮接電位之狀態均能達到更快速感測之功效。 |
| 關聯: | 修平學報 1, 219-230 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 期刊論文
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