English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 4334/7631
造訪人次 : 3183751      線上人數 : 468
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 進階搜尋

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/2370

題名: 以低溫水熱電化學法製備鈦酸鍶之研究
作者: 李士暐
李建鋒
黃證文
揭由志
貢獻者: 化學工程系
關鍵詞: 鈦酸鍶
氮化鈦
低溫水熱-電化學
日期: 2010-12-15
上傳時間: 2011-08-25T01:15:23Z
摘要: 本研究主要採用鍍氮化鈦膜矽晶片(TiN/Si)來當基材,利用低溫水熱法-電化學法作用之方式來成長鈦酸鍶膜,反應溶液為0.5 M醋酸鍶(Sr(CH3COO)2)及2 M氫氧化鈉(NaOH)之溶液,探討在控制溶液溫度、電壓及反應時間之條件對鈦酸鍶(SrTiO3)膜成長之影響。
研究是以施加外電壓之低溫水熱-電化學法方式,將TiN/Si 基材置於0.5M Sr(CH3COO)2及2 M NaOH 之電解液中,以80˚C與90˚C之溫度以及定電壓1.5V、2V反應10分鐘與30分鐘。反應過程中以電腦即時監控及記錄電壓及電流的變化。以及觀察反應前後試片外觀之比較,接著以X光繞射儀(XRD)進行結晶相之分析鑑定,並以場發射電子顯微鏡(FE-SEM)觀察反應前後試片表面及橫截面之微結構。結果顯示TiN/Si 在80C以定電壓1.5 V反應30分鐘跟2V反應10分鐘即有明顯鈦酸鍶膜生成。在80C以定電壓2 V反應30分鐘可將TiN/Si 基材完全反應成SrTiO3膜,所得膜厚達1.8 m。
顯示於類別:[能源與材料科技系] 學生專題

文件中的檔案:

檔案 大小格式瀏覽次數
全文.pdf2760KbAdobe PDF3123檢視/開啟

在HUSTIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

 


DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋