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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/597
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題名: | 電壓變換緩衝電路 VOLTAGE CONVERTING BUFFER CIRCUIT |
作者: | 蕭明椿 |
貢獻者: | 修平技術學院 |
日期: | 2005-04-01
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上傳時間: | 2008-11-06T08:23:41Z
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摘要: | 本創作提出一種新穎架構之電壓變換緩衝電路,其包括一CMOS反相器1、一位準移動正反器2以及一N通道MOS電晶體M10,其中該CMOS反相器1係由P通道MOS電晶體M1以及N通道MOS電晶體M2所組成,並連接在第一電源電壓VCC1與接地之間,該位準移動正反器2係由P通道MOS電晶體M3與M5以及N通道MOS電晶體M4與M6所組成,並連接在第二電源電壓VCC2與接地之間,而該N通道MOS電晶體M10係連接在第二電源電壓VCC2與輸出端VOUT之間,且其閘極用以接收著由該CMOS反相器1所輸出之反相的輸入電壓信號。由於本創作於輸出電壓信號上升期間,輸入端 VIN之輸入電壓信號僅需經由N通道MOS電晶體M2之延遲,即可使N通道 MOS電晶體M10導通,因此,不但可較先前技藝具有更短之上升時間,並且因為不需使用到延遲電路,因而也可有效簡化電路結構;此外,N通道MOS電晶體M10亦可視情況調整其通道寬度 (Channel width)W和零偏壓臨限電壓(Zero-bias threshold voltage)Vto之值,以改變或增加其驅動能力。 |
顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 專利
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