資料載入中.....
|
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/7206
|
題名: | 氧化鋅薄膜摻雜銅元素之晶體結構特性分析研究 |
作者: | 許秦維;林祐崧;高旭賢;黃禹博 |
貢獻者: | 電子工程系 |
關鍵詞: | 氧化鋅薄膜摻雜銅元素之晶體結構特性分析研究 |
日期: | 2019-06
|
上傳時間: | 2020-06-20T08:29:51Z
|
摘要: | 本研究是利用溶膠-凝膠法(Sol-gel)將氧化鋅摻雜銅元素(Zn1-xCuxO,x=0.1)薄膜製作在矽基板上,並使用加熱板(300oC)及快速熱退火熱處理(400oC~700oC,4種熱處理溫度)比較分析不同熱處理溫度(400oC~700oC)對氧化鋅晶體結構特性之影響,透過XRD量測分析氧化鋅奈米線摻雜摻雜銅元素之繞射峰強度與其晶相生長之關係,研究結果得知氧化鋅摻雜銅元素之繞射峰(002)晶相具有最優良的取向成長,且熱處理溫度700oC的晶體結構會有最佳晶體結構。 |
顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
|
文件中的檔案:
檔案 |
大小 | 格式 | 瀏覽次數 |
氧化鋅薄膜摻雜銅元素之晶體結構特性分析研究5-1.pdf | 2352Kb | Adobe PDF | 412 | 檢視/開啟 |
|
在HUSTIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
|