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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/571
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| 題名: | 唯讀記憶體感測電路 |
| 作者: | 蕭明椿 |
| 貢獻者: | 修平技術學院 |
| 日期: | 2001-10-21
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| 上傳時間: | 2008-11-06T08:22:24Z
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| 摘要: | 創作提出一種新穎之唯讀記憶體感測電路，其係由一第一PMOS電晶體MPl、一第一NMOS電晶體MNl、一反或閘NOR、一第二PMOS電晶體 MP2、一第一反相器NOTl、以及一第二反相器NOT2所組成，其中該第一 NMOS電晶體MNl之背閘極(back gate)與源極(source)間係設計成順向偏壓。當記憶單元在低電位VSS(即儲存邏輯O之資料)時，可藉背閘極順向偏壓之第一NMOS電晶體MNl的作用，以加快內部節點A之放電速度;而當記憶單元在浮接(floating)電位(即儲存邏輯l之資料)時，則因本創作之感測電路設計有一由第二PMOS電晶體MP2所構成並與第一PMOS電晶體MPl呈並聯連接之電流路徑，因此，可有效加快內部節點A之充電速度。故本案不論記憶單元係在低電位VSS，抑是在浮接電位之狀態均能達到快速感測之功效。 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 專利
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